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长鑫双喜临门:G5平台量产接近三星,首发LPDDR6全球领先9月21日消息,在合肥举行的2026世界制造业大会上,长鑫科技正式宣布其第五代DRAM技术平台(G5平台)已实现量产。同时,长鑫科技还展示了基时间:2026-09-21 + 阅读全文
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长鑫存储芯片利润率超越三星SK海力士,成为全球最高9月11日消息,据日经亚洲引用FactSet数据,<strong>2026年第二季度< strong>,长鑫存储息税前利润率达到<strong>82%< strong>,一举超过SK时间:2026-09-11 + 阅读全文
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韩媒批评长鑫HBM3良率仅25%:四个里有三个是废品,如何追赶SK海力士?9月10日消息,据报道,中国最大DRAM厂商长鑫存储(CXMT)已启动第四代高带宽内存HBM3的试产,但初期良率仍未突破,停留在25%的水平——暗讽时间:2026-09-10 + 阅读全文
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国产DDR5内存突破8600频率!微星Z890全线产品成功适配长鑫内存7月14日消息,微星宣布其Intel 800系列主板已全面优化支持基于长鑫存储DRAM颗粒的DDR5内存。经过专用BIOS内存调校后,Z890主板可稳定运行D时间:2026-07-14 + 阅读全文
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国产DDR5达到8200MHz:微星首家解锁长鑫AMD平台频率限制,BIOS现已开放下载!7月6日消息,微星科技今日宣布已率先完成长鑫存储颗粒在AMD平台上的深度适配调校,成功突破国产颗粒长期停留在<span>DDR5-6800< span>的频时间:2026-07-06 + 阅读全文
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长鑫成功研发无EUV光刻DRAM新技术,领先韩国存储巨头抢先布局7月6日消息,据报道,长鑫存储近日秘密启动了一条键合DRAM研发线,目标是比韩国企业更早实现下一代存储技术的商用化。几乎同一时间,苹果正时间:2026-07-06 + 阅读全文
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